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NE3520S03-T1C-A

Active - RF K BAND, GALLIUM ARSENIDE, N-C

Hersteller:

Renesas Electronics

Hersteller-Teil #

NE3520S03-T1C-A

Kategorie:

Transistoren - FETs, MOSFETs - HF-FETs, HF-MOSFETs

Datenblatt:

NE3520S03-T1C-A

Beschreibung:

RF K BAND, GALLIUM ARSENIDE, N-C

NE3520S03-T1C-A Spezifikation

Produkt-Attribut

Attributwert

Kategorie

Transistoren - FETs, MOSFETs - HF-FETs, HF-MOSFETs

Hersteller

Renesas Electronics

Reihe

-

Verpackung

Bulk

Produktstatus

Active

Technologie

HFET

Konfiguration

20GHz

Frequenz

13.5dB

Verstärkung

2 V

Spannung - Test

70mA

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Strom - Test

-

Leistung - Abgabe

4 V

Spannung - Nennwert

-

Montagetyp

4-SMD, Flat Leads

Gehäuse / Hülle

4-SMD

Gehäusetyp vom Lieferanten

-

NE3520S03-T1C-A Inventar: 6200

Geschichte Preis

Active

5.0 / 5.0

Paul Roy

France

2021-11-04 06:37

Entspricht meiner Nutzung

Laura Cristina

Spain

2021-07-11 09:01

Getestet, funktioniert wie erwartet.

Halina Jankowska

Poland

2021-12-09 23:36

Schneller Versand, OK

Emil Kwiatkowski

Poland

2021-06-13 07:47

Sieht echt aus. Haben Sie ein IR-Logo. Noch nicht getestet.

Gintaras Jonas

Lithuania

2021-12-07 05:43

Sieht aus wie nicht echt

NE3520S03-T1C-A

NE3520S03-T1C-A Spezifikation

NE3520S03-T1C-A Inventar: 6200

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