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Startseite  /  Diskrete Halbleiter  /  Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzelne FETs, MOSFETs  /  Renesas Electronics 2SK2008-E

2SK2008-E

Active Icon Active - N-CHANNEL POWER MOSFET
2SK2008-E
2SK2008-E
Renesas Electronics
Hersteller:
Hersteller-Teil #
Datenblatt:
Beschreibung:
N-CHANNEL POWER MOSFET
 
3D Model Icon

2SK2008-E Spezifikation

Produkt-Attribut
Attributwert
Hersteller
Reihe
-
Verpackung
Bulk
Produktstatus
Active
FET-Typ
-
Technologie
-
Drain-Source-Spannung (Vdss)
-
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
-
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
-
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
-
Vgs(th) (max.) bei Id
-
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
-
Vgs (Max.)
-
EingangsKapazität (Ciss) (max.) bei Vds
-
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
-
Betriebstemperatur
-
Montagetyp
-
Gehäusetyp vom Lieferanten
-
Gehäuse / Hülle
-

2SK2008-E Inventar: 31430

Geschichte Preis
Active
Certificates
5.0 / 5.0
review stars
Author Icon
Ville Räsänen
Location Icon Finland
5 stars
2022-12-19 19:44
Die Lieferung ist nicht angekommen.
Author Icon
Asher King
Location Icon United States
5 stars
2023-03-25 13:19
Ist wie die Beschreibung (Toshiba). Ist der Betrag, um den ich gebeten habe. Sehr schnell schickte er. Noch nicht bewiesen, ich werde später einen zusätzlichen Kommentar hinzufügen.
Author Icon
Éloïse Dupuis
Location Icon France
5 stars
2023-03-25 19:53
Sieht gut aus. noch nicht getestet.
Author Icon
Naomi Thompson
Location Icon United States
5 stars
2022-11-10 14:27
einige beschädigte Komponenten, unbrauchbar
Author Icon
Émile Lecomte
Location Icon France
5 stars
2023-03-20 09:32
Nun, 50 Stück. Toll für den Preis!

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