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Startseite  /  Diskrete Halbleiter  /  Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzelne bipolare transistoren  /  Renesas Electronics 2SC3365-E

2SC3365-E

Active Icon Active - POWER BIPOLAR TRANSISTOR NPN
2SC3365-E
2SC3365-E
Renesas Electronics
Hersteller:
Hersteller-Teil #
Datenblatt:
Beschreibung:
POWER BIPOLAR TRANSISTOR NPN
 
3D Model Icon

2SC3365-E Spezifikation

Produkt-Attribut
Attributwert
Hersteller
Reihe
-
Verpackung
Bulk
Produktstatus
Active
Transistor-Typ
-
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
-
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)
-
Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic
-
Strom - Kollektor, Reststrom (max.)
-
GleichstromVerstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce
-
Leistung - Max.
-
Frequenz - übergang
-
Betriebstemperatur
-
Montagetyp
-
Gehäuse / Hülle
-
Gehäusetyp vom Lieferanten
-

2SC3365-E Inventar: 15800

Geschichte Preis
$7.64000
Certificates
5.0 / 5.0
review stars
Author Icon
Laura Salmi
Location Icon Finland
5 stars
2023-03-24 03:47
Einfach hervorragend!! Vielen Dank.
Author Icon
Ville Räsänen
Location Icon Finland
5 stars
2022-12-19 19:44
Die Lieferung ist nicht angekommen.
Author Icon
Asher King
Location Icon United States
5 stars
2023-03-25 13:19
Ist wie die Beschreibung (Toshiba). Ist der Betrag, um den ich gebeten habe. Sehr schnell schickte er. Noch nicht bewiesen, ich werde später einen zusätzlichen Kommentar hinzufügen.
Author Icon
Éloïse Dupuis
Location Icon France
5 stars
2023-03-25 19:53
Sieht gut aus. noch nicht getestet.
Author Icon
Naomi Thompson
Location Icon United States
5 stars
2022-11-10 14:27
einige beschädigte Komponenten, unbrauchbar

2SC3365-E Verwandte Teile

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