RM2003
Active - MOSFET N&P-CH 20V 3A SOT23-6
Beschreibung:
MOSFET N&P-CH 20V 3A SOT23-6
RM2003 Spezifikation
Produkt-Attribut
Attributwert
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Technologie
N and P-Channel
Drain-Source-Spannung (Vdss)
3A (Ta)
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
35mOhm @ 3A, 4.5V, 75mOhm @ 2.5A, 4.5V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
1.2V @ 250μA, 1V @ 250μA
Vgs(th) (max.) bei Id
5nC @ 4.5V, 3.2nC @ 4.5V
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
260pF @ 10V, 325pF @ 10V
EingangsKapazität (Ciss) (max.) bei Vds
800mW (Ta)
Leistung - Max.
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Betriebstemperatur
Surface Mount
Gehäusetyp vom Lieferanten
-
RM2003 Inventar: 41760
5.0 / 5.0
2023-03-26 11:37
Seriöser und professioneller Verkäufer empfehlen es
2023-03-25 05:08
Alles gut zu empfehlen
2023-03-26 07:37
Gute Qualität Ware in Übereinstimmung mit der Bestellung. Lieferzeit 18 Tage.
2023-03-27 06:47
Toller Artikel, toller Verkäufer, A
2023-03-27 01:57
Alles gemäß der Beschreibung. Russland morduje Ukraińc
Italy
