SSD2009ATF
Obsolete - MOSFET 2N-CH 50V 3A 8-SOIC
Beschreibung:
MOSFET 2N-CH 50V 3A 8-SOIC
SSD2009ATF Spezifikation
Produkt-Attribut
Attributwert
Technologie
2 N-Channel (Dual)
Konfiguration
Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss)
3A
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
130mOhm @ 3A, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
3V @ 250μA
Vgs(th) (max.) bei Id
25nC @ 10V
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
-
EingangsKapazität (Ciss) (max.) bei Vds
2W
Leistung - Max.
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Betriebstemperatur
Surface Mount
Montagetyp
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Gehäusetyp vom Lieferanten
-
France
