SI4542DY
Obsolete - MOSFET N/P-CH 30V 6A 8SOIC
Beschreibung:
MOSFET N/P-CH 30V 6A 8SOIC
SI4542DY Spezifikation
Produkt-Attribut
Attributwert
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Technologie
N and P-Channel
Drain-Source-Spannung (Vdss)
6A
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
28mOhm @ 6A, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
3V @ 250μA
Vgs(th) (max.) bei Id
13nC @ 5V
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
830pF @ 15V
EingangsKapazität (Ciss) (max.) bei Vds
1W
Leistung - Max.
-55 ℃ ~ 175 ℃ (TJ)
Betriebstemperatur
Surface Mount
Montagetyp
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Gehäusetyp vom Lieferanten
-
Germany
