RFP40N10
Obsolete - MOSFET N-CH 100V 40A TO220-3
Beschreibung:
MOSFET N-CH 100V 40A TO220-3
RFP40N10 Spezifikation
Produkt-Attribut
Attributwert
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
100 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
40A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
40mOhm @ 40A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
4V @ 250μA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
300 nC @ 20 V
EingangsKapazität (Ciss) (max.) bei Vds
-
Verlustleistung (max.)
160W (Tc)
Betriebstemperatur
-55 ℃ ~ 175 ℃ (TJ)
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-220-3
France
