RFD8P05
Obsolete - MOSFET P-CH 50V 8A I-PAK
Beschreibung:
MOSFET P-CH 50V 8A I-PAK
RFD8P05 Spezifikation
Produkt-Attribut
Attributwert
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
50 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
8A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
300mOhm @ 8A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
4V @ 250μA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
80 nC @ 20 V
EingangsKapazität (Ciss) (max.) bei Vds
-
Verlustleistung (max.)
48W (Tc)
Betriebstemperatur
-55 ℃ ~ 175 ℃ (TJ)
Gehäusetyp vom Lieferanten
I-PAK
Gehäuse / Hülle
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
RFD8P05 Inventar: 28040
5.0 / 5.0
2023-05-24 06:05
In Ordnung, perfekt, danke
2023-05-24 09:55
Artikel gut angenommen und konform. Die Lieferung zwischen China und Frankreich ist in 18 Tagen statt 15 Tagen etwas lang.
2023-05-24 01:41
at?jo per 14 dien?
2023-05-15 00:47
Übereinstimmende Beschreibung des Artikels. Paket und Lieferung ok.
2023-05-18 10:34
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United States
