NTMS4101PR2
Obsolete - MOSFET P-CH 20V 6.9A 8SOIC
Beschreibung:
MOSFET P-CH 20V 6.9A 8SOIC
NTMS4101PR2 Spezifikation
Produkt-Attribut
Attributwert
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
20 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
6.9A (Ta)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
2.5V, 4.5V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
19mOhm @ 6.9A, 4.5V
Vgs(th) (max.) bei Id
450mV @ 250μA (Min)
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
32 nC @ 4.5 V
EingangsKapazität (Ciss) (max.) bei Vds
3200 pF @ 10 V
Verlustleistung (max.)
1.38W (Tj)
Betriebstemperatur
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Gehäusetyp vom Lieferanten
8-SOIC
Gehäuse / Hülle
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
NTMS4101PR2 Inventar: 7520
5.0 / 5.0
2023-03-27 01:57
Alles gemäß der Beschreibung. Russland morduje Ukraińc
2023-03-27 05:39
Schneller Versand, alles wie beschrieben.
2022-11-04 11:23
Perfekt für RGH3 bis Xbox 360, sie funktionieren perfekt.
2023-03-22 08:53
Sehr zufrieden mit dem Produkt, vielen Dank an den Verkäufer.
2023-03-24 06:22
Sehr gut. Alles klar. Grüße. Vielen Dank...
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