NDC652P
Obsolete - MOSFET P-CH 30V 2.4A SUPERSOT6
Beschreibung:
MOSFET P-CH 30V 2.4A SUPERSOT6
NDC652P Spezifikation
Produkt-Attribut
Attributwert
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
30 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
2.4A (Ta)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
4.5V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
110mOhm @ 3.1A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
3V @ 250μA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
20 nC @ 10 V
EingangsKapazität (Ciss) (max.) bei Vds
290 pF @ 15 V
Verlustleistung (max.)
1.6W (Ta)
Betriebstemperatur
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Gehäusetyp vom Lieferanten
SuperSOT?-6
Gehäuse / Hülle
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
NDC652P Inventar: 10480
5.0 / 5.0
2023-03-03 23:34
Korrekte Qualität, alles ist in Ordnung
2023-03-03 06:35
Sieht aus wie beworben. Noch nicht in der realen Anwendung getestet.
2023-03-02 21:41
Hochwertiges Produkt. Bitte reduzieren Sie die Versandkosten
2023-03-02 07:18
Alles korrekt wie es ist
2023-03-02 21:41
Hochwertiges Produkt. Bitte reduzieren Sie die Versandkosten
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