NCV33152DR2
Obsolete - IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC
Beschreibung:
IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC
NCV33152DR2 Spezifikation
Produkt-Attribut
Attributwert
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Getriebene Konfiguration
Low-Side
Gattertyp
N-Channel MOSFET
Spannung - Versorgung
6.1V ~ 18V
Logikspannung - VIL, VIH
0.8V, 2.6V
Strom - Spitze, Ausgang (Quelle, Senke)
1.5A, 1.5A
Eingangstyp
Non-Inverting
Spannung, High-Side - Max. (Bootstrap)
-
Anstiegs- / Abfallzeit (typ.)
36ns, 32ns
Betriebstemperatur
-40 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Gehäuse / Hülle
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Gehäusetyp vom Lieferanten
8-SOIC
France
