MTD6P10E

Obsolete - MOSFET P-CH 100V 6A DPAK
Beschreibung:
MOSFET P-CH 100V 6A DPAK
MTD6P10E Spezifikation
Produkt-Attribut
Attributwert
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
100 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
6A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
660mOhm @ 3A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
4V @ 250μA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
22 nC @ 10 V
EingangsKapazität (Ciss) (max.) bei Vds
840 pF @ 25 V
Verlustleistung (max.)
1.75W (Ta), 50W (Tc)
Betriebstemperatur
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Gehäusetyp vom Lieferanten
DPAK
Gehäuse / Hülle
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
MTD6P10E Inventar: 49530
5.0 / 5.0

2023-03-18 02:42
Laut Beschreibung habe ich noch nicht geschweißt

2023-03-17 23:22
Ware OK, sehr schneller Versand.

2023-03-17 13:18
Alles sehr ausgezeichnet, gut funktioniert

2023-03-17 03:02
Lieferung nach Holland in 9 Tagen!! Toller Service

2023-03-17 08:43
Alles ausgezeichnet, sehr schneller Versand