MMBF5457

Active - JFET N-CH 25V 350MW SOT23
Beschreibung:
JFET N-CH 25V 350MW SOT23
MMBF5457 Spezifikation
Produkt-Attribut
Attributwert
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Spannung - Durchbruch (V(BR)GSS)
25 V
Drain-Source-Spannung (Vdss)
-
Strom - Drain (Idss) bei Vds (Vgs=0)
1 mA @ 15 V
Strom, Drain (Id) - max.
-
Spannung - Abschaltung (VGS aus) bei Id
500 mV @ 10 nA
EingangsKapazität (Ciss) (max.) bei Vds
7pF @ 15V
Betriebstemperatur
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Gehäuse / Hülle
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Gehäusetyp vom Lieferanten
SOT-23-3
MMBF5457 Beschreibung
## Allgemeine Übersicht
Der MMBF5457 von onsemi ist ein N-Kanal Junction-FET (JFET), der für Hochfrequenz- und Analoganwendungen entwickelt wurde. Der Transistor zeichnet sich durch geringe Eingangskapazität, hohe Verstärkung und geringe Rauschwerte aus. Aufgrund seiner hohen Linearität und stabilen elektrischen Eigenschaften eignet er sich ideal für Signalanwendungen wie Verstärker, Schalter, Puffer und Rauscharme Schaltungen in Kommunikations-, Mess- und Audioanwendungen.
## Elektrische Eigenschaften
* Typ: N-Kanal JFET.
* Drain-Source-Spannung (Vds): 25 V maximal.
* Gate-Source-Spannung (Vgs): -25 V maximal, für sichere Steuerung im Sperrbereich.
* Drainstrom (Idss): typischer Wert 5 mA bis 10 mA bei Vds = 15 V, Vgs = 0 V, geeignet für analoge Signalverstärkung.
* Gate-Leckstrom (Igss): typischer Wert <1 nA, minimiert unerwünschte Ströme und Signalverfälschung.
* Eingangskapazität (Ciss): typischer Wert 3,5 pF bei Vds = 10 V, hochfrequenzfreundlich.
* Transkonduktanz (Gfs): typischer Wert 1000 µS, ermöglicht präzise Steuerung des Ausgangsstroms durch Gate-Spannung.
## Schalt- und Leistungsmerkmale
* Geringes Rauschen: Geräuscharm, geeignet für empfindliche Signalpfade.
* Lineare Verstärkung: Stabil über den gesamten Id-Bereich, ideal für analoges Signal-Processing.
* Temperaturbereich: -55°C bis +150°C, für industrielle Anwendungen geeignet.
* Thermische Verlustleistung: typischerweise 310 mW, ausreichend für kleine Signalverstärker ohne Kühlung.
## Gehäuse und Montage
* Gehäuse: SOT-23, klein und für Oberflächenmontage optimiert.
* Abmessungen: 2,9 × 1,3 × 1,1 mm, kompakt für Platz sparende Designs.
* Pinbelegung: Standardmäßig Source, Drain und Gate für einfache Integration in PCB-Designs.
* Montage: Oberflächenmontage (SMD) unterstützt automatisierte Bestückung und hohe Packungsdichte.
## Typische Anwendungen
* Hochfrequenzverstärker und Rauscharmverstärker.
* Analogschalter und Signalpuffer in Kommunikationssystemen.
* Audioverstärker und Filteranwendungen.
* Messgeräte und Sensorinterfaces, die präzise Signalkonditionierung benötigen.
* Allgemeine Analogschaltungen, bei denen geringe Eingangskapazität und lineare Verstärkung entscheidend sind.
## Zusammenfassung der wichtigsten Eigenschaften
| Eigenschaft | Wert |
| ------------------ | ---------------- |
| Typ | N-Kanal JFET |
| Vds max | 25 V |
| Vgs max | -25 V |
| Idss | 5 mA – 10 mA |
| Gate-Leckstrom | <1 nA |
| Eingangskapazität | 3,5 pF |
| Transkonduktanz | 1000 µS typ. |
| Betriebstemperatur | -55°C bis +150°C |
| Gehäuse | SOT-23 |
Der MMBF5457 bietet eine kompakte, hochlineare und rauscharme Lösung für analoge und Hochfrequenzanwendungen, die präzise Signalverstärkung und stabile Betriebsparameter erfordern.
MMBF5457 Inventar: 5720
5.0 / 5.0

2022-11-10 14:27
einige beschädigte Komponenten, unbrauchbar

2023-03-20 09:32
Nun, 50 Stück. Toll für den Preis!

2023-03-21 12:55
Im Zoll feststecken

2023-03-20 14:42
Ware, die der Beschreibung entspricht und schneller Versand. Seriöser Verkäufer, empfehlenswert.

2023-03-22 01:07
Konformes Produkt (noch nicht getestet). Schnelles und sauberes Versenden. Verkäufer zu empfehlen. Vielen Dank. Vielen Dank.