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Startseite  /  Diskrete Halbleiter  /  Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzelne bipolare transistoren  /  onsemi MJE243

MJE243

Active Icon Obsolete - TRANS PWR NPN 4A 100V TO225AA
MJE243
MJE243
onsemi
Hersteller:
Hersteller-Teil #
Datenblatt:
Beschreibung:
TRANS PWR NPN 4A 100V TO225AA
 
3D Model Icon

MJE243 Spezifikation

Produkt-Attribut
Attributwert
Hersteller
Reihe
-
Verpackung
Bulk
Produktstatus
Obsolete
Transistor-Typ
NPN
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
4 A
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)
100 V
Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic
300mV @ 50mA, 500mA
Strom - Kollektor, Reststrom (max.)
-
GleichstromVerstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce
40 @ 200mA, 1V
Leistung - Max.
15 W
Frequenz - übergang
40MHz
Betriebstemperatur
-
Montagetyp
Through Hole
Gehäuse / Hülle
TO-225AA, TO-126-3
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-126

MJE243 Beschreibung

Der MJE243 ist ein Hochleistungs-NPN-Transistor von ON Semiconductor, der häufig in verschiedenen Anwendungen der Leistungselektronik eingesetzt wird. Dieser Transistor ist besonders geeignet für Schaltanwendungen und Verstärkerschaltungen, die eine hohe Strom- und Spannungsbelastung erfordern. Hier sind die detaillierten Spezifikationen und Merkmale des MJE243:

### Allgemeine Beschreibung
Der MJE243 ist ein NPN-Transistor, der für die Verwendung in Hochstrom- und Hochspannungsanwendungen konzipiert ist. Er bietet eine hohe Verstärkung und ist in der Lage, große Lasten zu steuern. Der Transistor ist in einem TO-220-Gehäuse untergebracht, das eine einfache Kühlung und Montage ermöglicht.

### Spezifikationen

- Typ: NPN-Transistor
- Maximale Kollektor-Emitter-Spannung (V_CE): 60 V
- Maximale Kollektorstrom (I_C): 10 A
- Maximale Verlustleistung (P_D): 75 W
- Verstärkungsfaktor (h_FE): 20 bis 100 (bei I_C = 4 A)
- Maximale Kollektor-Basis-Spannung (V_CB): 60 V
- Maximale Emitter-Basis-Spannung (V_BE): 5 V
- Schaltgeschwindigkeit: Relativ hoch, geeignet für Schaltanwendungen
- Temperaturbereich: -65 °C bis +150 °C

### Gehäuse
Der MJE243 ist im TO-220-Gehäuse untergebracht, das eine gute Wärmeableitung ermöglicht. Dieses Gehäuse ist für Anwendungen geeignet, bei denen eine effektive Kühlung erforderlich ist.

### Anwendungen
- Leistungsstufen in Audioverstärkern
- Schaltregler und DC-DC-Wandler
- Motorsteuerungen
- Hochfrequenzverstärker
- Allgemeine Verstärkerschaltungen

### Vorteile
- Hohe Strom- und Spannungsbelastbarkeit
- Gute thermische Stabilität
- Hohe Verstärkung, die eine effiziente Steuerung von Lasten ermöglicht
- Robustes Gehäuse für einfache Handhabung und Montage

### Fazit
Der ON Semiconductor MJE243 ist ein vielseitiger Hochleistungs-NPN-Transistor, der sich ideal für eine Vielzahl von Anwendungen in der Leistungselektronik eignet. Mit seinen hohen Spezifikationen und der Fähigkeit, große Lasten zu steuern, ist er eine ausgezeichnete Wahl für Entwickler, die zuverlässige und leistungsstarke Lösungen benötigen.

MJE243 Inventar: 31810

Geschichte Preis
$0.25000
Certificates
5.0 / 5.0
review stars
Author Icon
Émile Lecomte
Location Icon France
5 stars
2023-03-20 09:32
Nun, 50 Stück. Toll für den Preis!
Author Icon
Raffaella Esposito
Location Icon Italy
5 stars
2023-03-21 12:55
Im Zoll feststecken
Author Icon
Pietro Moretti
Location Icon Italy
5 stars
2023-03-20 14:42
Ware, die der Beschreibung entspricht und schneller Versand. Seriöser Verkäufer, empfehlenswert.
Author Icon
Sidonie Mercier
Location Icon France
5 stars
2023-03-22 01:07
Konformes Produkt (noch nicht getestet). Schnelles und sauberes Versenden. Verkäufer zu empfehlen. Vielen Dank. Vielen Dank.
Author Icon
Valère Poulain
Location Icon France
5 stars
2023-03-24 11:36
Wie immer bin ich mit diesem Verkäufer zufrieden Vielen Dank

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