FQB630TM
Obsolete - MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK
Beschreibung:
MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK
FQB630TM Spezifikation
Produkt-Attribut
Attributwert
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
200 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
9A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
400mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
4V @ 250μA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
25 nC @ 10 V
EingangsKapazität (Ciss) (max.) bei Vds
550 pF @ 25 V
Verlustleistung (max.)
3.13W (Ta), 78W (Tc)
Betriebstemperatur
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Gehäusetyp vom Lieferanten
D2PAK (TO-263)
Gehäuse / Hülle
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
FQB630TM Inventar: 38760
5.0 / 5.0
2023-05-22 05:34
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2023-05-23 23:55
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2023-03-08 02:12
Da die Beschreibung des neuen Preises zum Zeitpunkt der Bestellung der niedrigste ist
2023-04-24 13:06
Alles super! Empfohlen
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