FQA70N10
Active - MOSFET N-CH 100V 70A TO3PN
Beschreibung:
MOSFET N-CH 100V 70A TO3PN
FQA70N10 Spezifikation
Produkt-Attribut
Attributwert
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
100 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
70A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
23mOhm @ 35A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
4V @ 250μA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
110 nC @ 10 V
EingangsKapazität (Ciss) (max.) bei Vds
3300 pF @ 25 V
Verlustleistung (max.)
214W (Tc)
Betriebstemperatur
-55 ℃ ~ 175 ℃ (TJ)
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-3PN
Gehäuse / Hülle
TO-3P-3, SC-65-3
Italy
