FQA33N10L
Obsolete - MOSFET N-CH 100V 36A TO3P
Beschreibung:
MOSFET N-CH 100V 36A TO3P
FQA33N10L Spezifikation
Produkt-Attribut
Attributwert
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
100 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
36A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
5V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
52mOhm @ 18A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
2V @ 250μA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
40 nC @ 5 V
EingangsKapazität (Ciss) (max.) bei Vds
1630 pF @ 25 V
Verlustleistung (max.)
163W (Tc)
Betriebstemperatur
-55 ℃ ~ 175 ℃ (TJ)
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-3P
Gehäuse / Hülle
TO-3P-3, SC-65-3
FQA33N10L Inventar: 28160
5.0 / 5.0
2023-03-26 11:37
Seriöser und professioneller Verkäufer empfehlen es
2023-03-25 05:08
Alles gut zu empfehlen
2023-03-26 07:37
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2023-03-27 06:47
Toller Artikel, toller Verkäufer, A
2023-03-27 01:57
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