FQA19N60
Active - POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
Beschreibung:
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
FQA19N60 Spezifikation
Produkt-Attribut
Attributwert
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
600 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
18.5A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
380mOhm @ 9.3A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
5V @ 250μA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
90 nC @ 10 V
EingangsKapazität (Ciss) (max.) bei Vds
3600 pF @ 25 V
Verlustleistung (max.)
300W (Tc)
Betriebstemperatur
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-3PN
Gehäuse / Hülle
TO-3P-3, SC-65-3
Germany
