FQA19N20L
Obsolete - MOSFET N-CH 200V 25A TO3P
Beschreibung:
MOSFET N-CH 200V 25A TO3P
FQA19N20L Spezifikation
Produkt-Attribut
Attributwert
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
200 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
25A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
5V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
140mOhm @ 12.5A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
2V @ 250μA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
35 nC @ 5 V
EingangsKapazität (Ciss) (max.) bei Vds
2200 pF @ 25 V
Verlustleistung (max.)
190W (Tc)
Betriebstemperatur
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-3P
Gehäuse / Hülle
TO-3P-3, SC-65-3
FQA19N20L Inventar: 22720
5.0 / 5.0
2023-03-27 01:57
Alles gemäß der Beschreibung. Russland morduje Ukraińc
2023-03-27 05:39
Schneller Versand, alles wie beschrieben.
2022-11-04 11:23
Perfekt für RGH3 bis Xbox 360, sie funktionieren perfekt.
2023-03-22 08:53
Sehr zufrieden mit dem Produkt, vielen Dank an den Verkäufer.
2023-03-24 06:22
Sehr gut. Alles klar. Grüße. Vielen Dank...
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