FDS9958
Active - MOSFET 2P-CH 60V 2.9A 8-SO
Beschreibung:
MOSFET 2P-CH 60V 2.9A 8-SO
FDS9958 Spezifikation
Produkt-Attribut
Attributwert
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Technologie
2 P-Channel (Dual)
Konfiguration
Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss)
2.9A
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
105mOhm @ 2.9A, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
3V @ 250μA
Vgs(th) (max.) bei Id
23nC @ 10V
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
1020pF @ 30V
EingangsKapazität (Ciss) (max.) bei Vds
900mW
Leistung - Max.
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Betriebstemperatur
Surface Mount
Montagetyp
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Gehäusetyp vom Lieferanten
-
United States
