FDS3890
Active - MOSFET 2N-CH 80V 4.7A 8-SO
Beschreibung:
MOSFET 2N-CH 80V 4.7A 8-SO
FDS3890 Spezifikation
Produkt-Attribut
Attributwert
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Technologie
2 N-Channel (Dual)
Konfiguration
Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss)
4.7A
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
44mOhm @ 4.7A, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
4V @ 250μA
Vgs(th) (max.) bei Id
35nC @ 10V
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
1180pF @ 40V
EingangsKapazität (Ciss) (max.) bei Vds
900mW
Leistung - Max.
-55 ℃ ~ 175 ℃ (TJ)
Betriebstemperatur
Surface Mount
Montagetyp
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Gehäusetyp vom Lieferanten
-
FDS3890 Inventar: 41390
5.0 / 5.0
2023-03-15 00:56
Schnelle Lieferung, Artikel sind gut verpackt und sehen bestellkonform aus, aber noch nicht getestet. Danke
2023-03-12 10:45
Es ist das, was ich wollte, und ich kam in ein paar Tagen perfekt an
2023-03-12 10:49
Schnelle Lieferung, konformer Artikel, aber schwieriges Schweißen an Solarlampen
2023-03-12 10:35
Konformes Produkt, mer?i viel
2023-03-15 13:34
Die Spansäge ist neuwertiger Zustand und ist nach verbauen funktionstüchtig, top
France
