FDP8860
Active - POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 8
Beschreibung:
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 8
FDP8860 Spezifikation
Produkt-Attribut
Attributwert
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
30 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
80A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
4.5V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
2.5mOhm @ 80A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
2.5V @ 250μA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
222 nC @ 10 V
EingangsKapazität (Ciss) (max.) bei Vds
12240 pF @ 15 V
Verlustleistung (max.)
254W (Tc)
Betriebstemperatur
-55 ℃ ~ 175 ℃ (TJ)
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-220-3
Spain
