FDP61N20
Active - MOSFET N-CH 200V 61A TO220-3
Beschreibung:
MOSFET N-CH 200V 61A TO220-3
FDP61N20 Spezifikation
Produkt-Attribut
Attributwert
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
200 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
61A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
41mOhm @ 30.5A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
5V @ 250μA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
75 nC @ 10 V
EingangsKapazität (Ciss) (max.) bei Vds
3380 pF @ 25 V
Verlustleistung (max.)
417W (Tc)
Betriebstemperatur
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-220-3
Germany
