FDP51N25
Active - MOSFET N-CH 250V 51A TO220-3
Beschreibung:
MOSFET N-CH 250V 51A TO220-3
FDP51N25 Spezifikation
Produkt-Attribut
Attributwert
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
250 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
51A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
60mOhm @ 25.5A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
5V @ 250μA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
70 nC @ 10 V
EingangsKapazität (Ciss) (max.) bei Vds
3410 pF @ 25 V
Verlustleistung (max.)
320W (Tc)
Betriebstemperatur
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-220-3
FDP51N25 Inventar: 31520
5.0 / 5.0
2023-05-25 05:33
Wie in der Beschreibung
2023-05-24 23:05
Günstiger Versand, aber sehr schnell. Hervorragend integriert. Sehr zu empfehlen!!
2023-05-24 21:54
Sehr gut! aber 4 Wochen Lieferzeit nach Deutschland. Vielen Dank!
2023-05-25 01:02
Die Ware wurde nicht abgeschnitten, das Tierheim lieferte die Hülle nicht. Verkaufe, indem du die Katzen drehst. Verkauft von mir.
2023-05-25 11:56
Alles in Ordnung. Gutes Produkt. Guter Verkäufer.
Italy
