FDP20N50
Obsolete - MOSFET N-CH 500V 20A TO220-3
Beschreibung:
MOSFET N-CH 500V 20A TO220-3
FDP20N50 Spezifikation
Produkt-Attribut
Attributwert
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
500 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
20A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
230mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
5V @ 250μA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
59.5 nC @ 10 V
EingangsKapazität (Ciss) (max.) bei Vds
3120 pF @ 25 V
Verlustleistung (max.)
250W (Tc)
Betriebstemperatur
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-220-3
FDP20N50 Inventar: 34720
5.0 / 5.0
2023-05-28 05:08
Alle Artikel kamen perfekt verpackt und isoliert, habe ICs von diesem Verkäufer schon einmal gekauft und hatte nie irgendwelche Beschwerden, der Versand in die USA ist wirklich schnell.
2023-05-26 05:03
...
2023-05-26 02:30
Empfehlung für Produkt
2023-05-26 15:20
I have not used them, I have acquired it by spare.
2023-05-24 09:17
Perfect, it%27s okay. Thank you
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