FDMS86200
Active - MOSFET N-CH 150V 9.6A/35A 8PQFN
Beschreibung:
MOSFET N-CH 150V 9.6A/35A 8PQFN
FDMS86200 Spezifikation
Produkt-Attribut
Attributwert
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
150 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
9.6A (Ta), 35A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
6V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
18mOhm @ 9.6A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
4V @ 250μA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
46 nC @ 10 V
EingangsKapazität (Ciss) (max.) bei Vds
2715 pF @ 75 V
Verlustleistung (max.)
2.5W (Ta), 104W (Tc)
Betriebstemperatur
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Gehäusetyp vom Lieferanten
8-PQFN (5x6)
Gehäuse / Hülle
8-PowerTDFN
FDMS86200 Inventar: 44120
5.0 / 5.0
2023-03-27 06:30
Kam wie gewünscht. Qualitätsprodukt. Schnell angekommen und mit gutem Schutz. Ich empfehle und werde in Zukunft wieder kaufen.
2023-03-26 11:37
Seriöser und professioneller Verkäufer empfehlen es
2023-03-25 05:08
Alles gut zu empfehlen
2023-03-26 07:37
Gute Qualität Ware in Übereinstimmung mit der Bestellung. Lieferzeit 18 Tage.
2023-03-27 06:47
Toller Artikel, toller Verkäufer, A
United States
