FDMS86183
Active - MOSFET N-CH 100V 51A 8PQFN
Beschreibung:
MOSFET N-CH 100V 51A 8PQFN
FDMS86183 Spezifikation
Produkt-Attribut
Attributwert
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
100 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
51A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
6V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
12.8mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
4V @ 90μA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
14 nC @ 6 V
EingangsKapazität (Ciss) (max.) bei Vds
1515 pF @ 50 V
Verlustleistung (max.)
63W (Tc)
Betriebstemperatur
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Gehäusetyp vom Lieferanten
8-PQFN (5x6)
Gehäuse / Hülle
8-PowerTDFN
FDMS86183 Inventar: 24760
5.0 / 5.0
2023-03-25 04:23
Alles wie bestellt, ich habe die Qualität nicht überprüft, aber das Aussehen und die Quantität entspricht der Beschreibung. Die Lieferung erfolgt schnell. Vielen Dank! (PS: Ja, ich bin eine Frau! Lassen Sie sich davon nicht verwirren!)
2023-03-26 01:25
Sie kamen viel schneller an als erwartet. Alles, was ich tun muss, ist, sie zu reiten.
2023-03-24 03:47
Einfach hervorragend!! Vielen Dank.
2022-12-19 19:44
Die Lieferung ist nicht angekommen.
2023-03-25 13:19
Ist wie die Beschreibung (Toshiba). Ist der Betrag, um den ich gebeten habe. Sehr schnell schickte er. Noch nicht bewiesen, ich werde später einen zusätzlichen Kommentar hinzufügen.
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