FDMS86101E
Obsolete - MOSFET N-CH 100V 12.4A/60A 8PQFN
Beschreibung:
MOSFET N-CH 100V 12.4A/60A 8PQFN
FDMS86101E Spezifikation
Produkt-Attribut
Attributwert
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
100 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
12.4A (Ta), 60A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
6V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
8mOhm @ 13A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
4V @ 250μA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
55 nC @ 10 V
EingangsKapazität (Ciss) (max.) bei Vds
3000 pF @ 50 V
Verlustleistung (max.)
2.5W (Ta), 104W (Tc)
Betriebstemperatur
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Gehäusetyp vom Lieferanten
8-PQFN (5x6)
Gehäuse / Hülle
8-PowerTDFN
FDMS86101E Inventar: 44320
5.0 / 5.0
2023-03-03 11:03
Wird verwendet, um die Imagekarte zu reparieren, da die rel__Is nicht aktiviert wurde. Funktioniert jetzt einwandfrei
2023-03-03 23:34
Korrekte Qualität, alles ist in Ordnung
2023-03-03 06:35
Sieht aus wie beworben. Noch nicht in der realen Anwendung getestet.
2023-03-02 21:41
Hochwertiges Produkt. Bitte reduzieren Sie die Versandkosten
2023-03-02 07:18
Alles korrekt wie es ist
Italy
