FDMS86101
Active - MOSFET N-CH 100V 12.4A/60A 8PQFN
Beschreibung:
MOSFET N-CH 100V 12.4A/60A 8PQFN
FDMS86101 Spezifikation
Produkt-Attribut
Attributwert
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
100 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
12.4A (Ta), 60A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
6V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
8mOhm @ 13A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
4V @ 250μA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
55 nC @ 10 V
EingangsKapazität (Ciss) (max.) bei Vds
3000 pF @ 50 V
Verlustleistung (max.)
2.5W (Ta), 104W (Tc)
Betriebstemperatur
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Gehäusetyp vom Lieferanten
8-PQFN (5x6)
Gehäuse / Hülle
8-PowerTDFN
FDMS86101 Inventar: 27660
5.0 / 5.0
2023-02-10 08:23
Alle 10 Transistoren Hfe waren indental 22. Habe einen kleinen Leistungstest gemacht: 60 W (6 A) halten leicht. Ich denke, Trasistoren könnten originell sein. GROSSES DANKESCHÖN an den Verkäufer! :)
2023-02-10 08:31
Ok, sie sehen hochwertig aus.
2023-02-10 21:09
Coole Verpackung. Okay!
2023-02-10 00:45
Ich kann sie noch nicht testen
2023-02-10 06:39
Super bien merci
Lithuania
