FDMS8350L
Active - MOSFET N-CH 40V 47A/200A POWER56
Beschreibung:
MOSFET N-CH 40V 47A/200A POWER56
FDMS8350L Spezifikation
Produkt-Attribut
Attributwert
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
40 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
47A (Ta), 200A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
4.5V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
0.85mOhm @ 47A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
3V @ 250μA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
242 nC @ 10 V
EingangsKapazität (Ciss) (max.) bei Vds
17500 pF @ 20 V
Verlustleistung (max.)
2.7W (Ta), 113W (Tc)
Betriebstemperatur
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Gehäusetyp vom Lieferanten
8-PQFN (5x6)
Gehäuse / Hülle
8-PowerTDFN
Italy
