FDMS3660AS
Obsolete - MOSFET 2N-CH 30V 13A/30A 8QFN
Beschreibung:
MOSFET 2N-CH 30V 13A/30A 8QFN
FDMS3660AS Spezifikation
Produkt-Attribut
Attributwert
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Technologie
2 N-Channel (Dual)
Konfiguration
Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss)
13A, 30A
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
8mOhm @ 13A, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
2.7V @ 250μA
Vgs(th) (max.) bei Id
30nC @ 10V
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
2230pF @ 15V
EingangsKapazität (Ciss) (max.) bei Vds
1W
Leistung - Max.
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Betriebstemperatur
Surface Mount
Gehäusetyp vom Lieferanten
-
FDMS3660AS Inventar: 16600
5.0 / 5.0
2023-03-24 03:47
Einfach hervorragend!! Vielen Dank.
2022-12-19 19:44
Die Lieferung ist nicht angekommen.
2023-03-25 13:19
Ist wie die Beschreibung (Toshiba). Ist der Betrag, um den ich gebeten habe. Sehr schnell schickte er. Noch nicht bewiesen, ich werde später einen zusätzlichen Kommentar hinzufügen.
2023-03-25 19:53
Sieht gut aus. noch nicht getestet.
2022-11-10 14:27
einige beschädigte Komponenten, unbrauchbar
Finland
