FDMS3620S

Obsolete - MOSFET 2N-CH 25V 17.5A/38A 8PQFN
Beschreibung:
MOSFET 2N-CH 25V 17.5A/38A 8PQFN
FDMS3620S Spezifikation
Produkt-Attribut
Attributwert
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Technologie
2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Konfiguration
Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss)
17.5A, 38A
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
4.7mOhm @ 17.5A, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
2V @ 250μA
Vgs(th) (max.) bei Id
26nC @ 10V
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
1570pF @ 13V
EingangsKapazität (Ciss) (max.) bei Vds
1W
Leistung - Max.
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Betriebstemperatur
Surface Mount
Gehäusetyp vom Lieferanten
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