FDMC8010DC
Active - MOSFET N-CH 30V 37A 8PQFN
Beschreibung:
MOSFET N-CH 30V 37A 8PQFN
FDMC8010DC Spezifikation
Produkt-Attribut
Attributwert
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
30 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
37A (Ta)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
4.5V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
1.28mOhm @ 37A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
3V @ 250μA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
94 nC @ 15 V
EingangsKapazität (Ciss) (max.) bei Vds
7080 pF @ 15 V
Verlustleistung (max.)
3W (Ta)
Betriebstemperatur
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Gehäusetyp vom Lieferanten
8-PQFN (3.3x3.3)
Gehäuse / Hülle
8-PowerWDFN
Italy
