FDD8878
Obsolete - MOSFET N-CH 30V 11A/40A TO252AA
Beschreibung:
MOSFET N-CH 30V 11A/40A TO252AA
FDD8878 Spezifikation
Produkt-Attribut
Attributwert
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
30 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
11A (Ta), 40A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
4.5V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
15mOhm @ 35A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
2.5V @ 250μA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
26 nC @ 10 V
EingangsKapazität (Ciss) (max.) bei Vds
880 pF @ 15 V
Verlustleistung (max.)
40W (Tc)
Betriebstemperatur
-55 ℃ ~ 175 ℃ (TJ)
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-252AA
Gehäuse / Hülle
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Poland
