FDD8782
Obsolete - MOSFET N-CH 25V 35A TO252AA
Beschreibung:
MOSFET N-CH 25V 35A TO252AA
FDD8782 Spezifikation
Produkt-Attribut
Attributwert
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
25 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
35A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
4.5V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
11mOhm @ 35A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
2.5V @ 250μA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
25 nC @ 10 V
EingangsKapazität (Ciss) (max.) bei Vds
1220 pF @ 13 V
Verlustleistung (max.)
50W (Tc)
Betriebstemperatur
-55 ℃ ~ 175 ℃ (TJ)
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-252AA
Gehäuse / Hülle
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
FDD8782 Inventar: 34910
5.0 / 5.0
2023-03-08 08:10
Ausgezeichneter Verkäufer, sehr zu empfehlen.
2023-01-31 16:29
Ich habe sie eingesetzt und sie haben 2 Minuten gedauert, sie platzen automatisch, schlechte Qualität
2023-03-07 17:17
Qualität 100% empfohlener Verkäufer,
2023-03-05 02:44
Alles gut!! Xbox One S repariert. Vielen Dank!
2022-11-27 08:34
Sie sind falsch und der Anblick und das Fehlen der Diode im Inneren, ich werde einige Bilder nach links machen, ist original
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