FDD8778
Obsolete - MOSFET N-CH 25V 35A TO252AA
Beschreibung:
MOSFET N-CH 25V 35A TO252AA
FDD8778 Spezifikation
Produkt-Attribut
Attributwert
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
25 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
35A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
4.5V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
14mOhm @ 35A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
2.5V @ 250μA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
18 nC @ 10 V
EingangsKapazität (Ciss) (max.) bei Vds
845 pF @ 13 V
Verlustleistung (max.)
39W (Tc)
Betriebstemperatur
-55 ℃ ~ 175 ℃ (TJ)
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-252AA
Gehäuse / Hülle
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
FDD8778 Inventar: 1060
5.0 / 5.0
2023-03-02 13:37
Der erhaltene Artikel war das, was ich bestellt habe.
2023-03-02 10:57
Ok danke
2023-03-01 17:50
Hat den Trick gemacht. Wurde für einen ESP8266 Breakout-Board-Spannungsregler verwendet.
2023-03-01 06:20
Sehr gute 555 schnelle Lieferung funktioniert einwandfrei
2023-03-02 10:04
Schneller Versand, alles OK, Ware und Verkäufer empfehlen.
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