FDD86326
Active - MOSFET N-CH 80V 8A/37A DPAK
Beschreibung:
MOSFET N-CH 80V 8A/37A DPAK
FDD86326 Spezifikation
Produkt-Attribut
Attributwert
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
80 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
8A (Ta), 37A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
6V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
23mOhm @ 8A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
4V @ 250μA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
19 nC @ 10 V
EingangsKapazität (Ciss) (max.) bei Vds
1035 pF @ 50 V
Verlustleistung (max.)
3.1W (Ta), 62W (Tc)
Betriebstemperatur
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-252AA
Gehäuse / Hülle
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
FDD86326 Inventar: 49520
5.0 / 5.0
2022-11-21 11:25
Toller Verkäufer empfohlen
2023-04-15 03:51
Wie beschrieben, schnelle Lieferung und guter Service!<br>Danke
2023-04-17 08:16
Tranzai e13009-2 man buvo be diode viduje, parametrai ju vienodi
2023-04-04 00:51
Hallo! Produktqualität, nichts zu sagen ist perfekt. Im Bereich der Bestellungen im Rahmen von Sammelsendungen ist dies hervorragend. Im Bereich der Transportlogistik, der Vorbereitung des Pakets, der Auftragsverfolgung, der Lieferung zu mir nach Hause: Es ist perfekt. Der Verkäufer steht bei dieser Lieferung dieser hochwertigen integrierten Schaltkreise an der Spitze.
Herzlich
2023-03-28 14:59
Tolles Produkt und guter Verkäufer
Italy
