FDD86102
Active - MOSFET N-CH 100V 8A/36A DPAK
Beschreibung:
MOSFET N-CH 100V 8A/36A DPAK
FDD86102 Spezifikation
Produkt-Attribut
Attributwert
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
100 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
8A (Ta), 36A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
6V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
24mOhm @ 8A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
4V @ 250μA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
19 nC @ 10 V
EingangsKapazität (Ciss) (max.) bei Vds
1035 pF @ 50 V
Verlustleistung (max.)
3.1W (Ta), 62W (Tc)
Betriebstemperatur
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-252AA
Gehäuse / Hülle
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
FDD86102 Inventar: 17780
5.0 / 5.0
2023-02-23 08:27
Alles ok, kein Problem. Alle Chips funktionieren und wurden mit dem TL866-Programmiergerät getestet. Empfohlen!!!
2023-02-23 01:58
Sehr gut angenommen, schnelle Lieferung, ich empfehle den Verkäufer
2023-02-24 09:13
Das Produkt ist perfekt und die Bestellung kam sehr schnell an.
2023-02-23 01:38
Schneller Versand genaue Produktbeschreibung
2023-02-23 04:49
Es gibt gebrochene Blöcke von 3 bis 9. Der Verkäufer, der zu dem Treffen ging, gab einen Teil des Geldes zurück. Also 5 Sterne.
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