FDD5690
Obsolete - MOSFET N-CH 60V 30A TO252
Beschreibung:
MOSFET N-CH 60V 30A TO252
FDD5690 Spezifikation
Produkt-Attribut
Attributwert
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
60 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
30A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
6V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
27mOhm @ 9A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
4V @ 250μA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
32 nC @ 10 V
EingangsKapazität (Ciss) (max.) bei Vds
1110 pF @ 25 V
Verlustleistung (max.)
3.2W (Ta), 50W (Tc)
Betriebstemperatur
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-252AA
Gehäuse / Hülle
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
FDD5690 Inventar: 45860
5.0 / 5.0
2022-10-11 01:17
Thanks.__Only fünf von ihnen sind Triacs.
2023-02-27 20:16
Äußerlich ist alles in Ordnung. Ich habe die Arbeit noch nicht überprüft.
2023-02-28 01:22
Perfektes ABG, wie schon wieder.
2023-02-28 12:17
Schneller Versand, alles OK. Empfehlen.
2023-02-27 04:25
Super schnelle Lieferung
Lithuania
