FDD5680
Active - MOSFET N-CH 60V 8.5A TO252
Beschreibung:
MOSFET N-CH 60V 8.5A TO252
FDD5680 Spezifikation
Produkt-Attribut
Attributwert
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
60 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
8.5A (Ta)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
6V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
21mOhm @ 8.5A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
4V @ 250μA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
46 nC @ 10 V
EingangsKapazität (Ciss) (max.) bei Vds
1835 pF @ 30 V
Verlustleistung (max.)
2.8W (Ta), 60W (Tc)
Betriebstemperatur
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-252AA
Gehäuse / Hülle
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
FDD5680 Inventar: 43800
5.0 / 5.0
2023-03-24 06:22
Sehr gut. Alles klar. Grüße. Vielen Dank...
2023-03-23 22:54
Alles ok zu empfehlen, tolles Produkt
2023-03-25 04:23
Alles wie bestellt, ich habe die Qualität nicht überprüft, aber das Aussehen und die Quantität entspricht der Beschreibung. Die Lieferung erfolgt schnell. Vielen Dank! (PS: Ja, ich bin eine Frau! Lassen Sie sich davon nicht verwirren!)
2023-03-26 01:25
Sie kamen viel schneller an als erwartet. Alles, was ich tun muss, ist, sie zu reiten.
2023-03-24 03:47
Einfach hervorragend!! Vielen Dank.
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