FDD3N40TM
Active - MOSFET N-CH 400V 2A DPAK
Beschreibung:
MOSFET N-CH 400V 2A DPAK
FDD3N40TM Spezifikation
Produkt-Attribut
Attributwert
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
400 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
2A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
3.4Ohm @ 1A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
5V @ 250μA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
6 nC @ 10 V
EingangsKapazität (Ciss) (max.) bei Vds
225 pF @ 25 V
Verlustleistung (max.)
30W (Tc)
Betriebstemperatur
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-252AA
Gehäuse / Hülle
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
FDD3N40TM Inventar: 27220
5.0 / 5.0
2023-03-17 03:02
Lieferung nach Holland in 9 Tagen!! Toller Service
2023-03-17 08:43
Alles ausgezeichnet, sehr schneller Versand
2023-03-17 08:43
Alles ausgezeichnet, sehr schneller Versand
2023-03-18 12:46
Alles ok wie beschrieben
2023-03-17 08:54
Alles ausgezeichnet, sehr schneller Versand, danke
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