FDB8874
Obsolete - MOSFET N-CH 30V 21A/121A TO263AB
Beschreibung:
MOSFET N-CH 30V 21A/121A TO263AB
FDB8874 Spezifikation
Produkt-Attribut
Attributwert
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
30 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
21A (Ta), 121A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
4.5V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
4.7mOhm @ 40A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
2.5V @ 250μA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
72 nC @ 10 V
EingangsKapazität (Ciss) (max.) bei Vds
3130 pF @ 15 V
Verlustleistung (max.)
110W (Tc)
Betriebstemperatur
-55 ℃ ~ 175 ℃ (TJ)
Gehäusetyp vom Lieferanten
D2PAK (TO-263)
Gehäuse / Hülle
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
FDB8874 Inventar: 4000
5.0 / 5.0
2023-04-04 00:51
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Herzlich
2023-03-28 14:59
Tolles Produkt und guter Verkäufer
2023-03-26 07:37
Gute Qualität Ware in Übereinstimmung mit der Bestellung. Lieferzeit 18 Tage.
2023-03-27 06:30
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2023-03-26 11:37
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