FDB035N10A
Active - MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
Beschreibung:
MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
FDB035N10A Spezifikation
Produkt-Attribut
Attributwert
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
100 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
120A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
3.5mOhm @ 75A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
4V @ 250μA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
116 nC @ 10 V
EingangsKapazität (Ciss) (max.) bei Vds
7295 pF @ 25 V
Verlustleistung (max.)
333W (Tc)
Betriebstemperatur
-55 ℃ ~ 175 ℃ (TJ)
Gehäusetyp vom Lieferanten
D2PAK (TO-263)
Gehäuse / Hülle
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
FDB035N10A Inventar: 36890
5.0 / 5.0
2023-03-17 13:18
Alles sehr ausgezeichnet, gut funktioniert
2023-03-17 03:02
Lieferung nach Holland in 9 Tagen!! Toller Service
2023-03-17 08:43
Alles ausgezeichnet, sehr schneller Versand
2023-03-17 08:43
Alles ausgezeichnet, sehr schneller Versand
2023-03-18 12:46
Alles ok wie beschrieben
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