ECH8411-TL-E

Obsolete - MOSFET N-CH 20V 9A 8ECH
Beschreibung:
MOSFET N-CH 20V 9A 8ECH
ECH8411-TL-E Spezifikation
Produkt-Attribut
Attributwert
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
20 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
9A (Ta)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
-
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
16mOhm @ 4A, 4V
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
21 nC @ 4 V
EingangsKapazität (Ciss) (max.) bei Vds
1740 pF @ 10 V
Verlustleistung (max.)
1.4W (Ta)
Betriebstemperatur
150 ℃ (TJ)
Gehäusetyp vom Lieferanten
8-ECH
Gehäuse / Hülle
8-SMD, Flat Lead
ECH8411-TL-E Inventar: 46000
5.0 / 5.0

2023-04-04 00:51
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2023-03-28 14:59
Tolles Produkt und guter Verkäufer

2023-03-26 07:37
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2023-03-27 06:30
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2023-03-26 11:37
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