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Startseite  /  Diskrete Halbleiter  /  Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzelne bipolare transistoren  /  onsemi BD809G

BD809G

Active Icon Obsolete - TRANS NPN 80V 10A TO220
BD809G
BD809G
onsemi
Hersteller:
Hersteller-Teil #
Datenblatt:
Beschreibung:
TRANS NPN 80V 10A TO220
 
3D Model Icon

BD809G Spezifikation

Produkt-Attribut
Attributwert
Hersteller
Reihe
-
Verpackung
Bulk or Tube
Produktstatus
Obsolete
Transistor-Typ
NPN
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
10 A
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)
80 V
Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic
1.1V @ 300mA, 3A
Strom - Kollektor, Reststrom (max.)
1mA (ICBO)
GleichstromVerstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce
15 @ 4A, 2V
Leistung - Max.
90 W
Frequenz - übergang
1.5MHz
Betriebstemperatur
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Montagetyp
Through Hole
Gehäuse / Hülle
TO-220-3
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-220

BD809G Inventar: 36550

Geschichte Preis
$0.50000
Certificates
5.0 / 5.0
review stars
Author Icon
Laura Salmi
Location Icon Finland
5 stars
2023-03-24 03:47
Einfach hervorragend!! Vielen Dank.
Author Icon
Ville Räsänen
Location Icon Finland
5 stars
2022-12-19 19:44
Die Lieferung ist nicht angekommen.
Author Icon
Asher King
Location Icon United States
5 stars
2023-03-25 13:19
Ist wie die Beschreibung (Toshiba). Ist der Betrag, um den ich gebeten habe. Sehr schnell schickte er. Noch nicht bewiesen, ich werde später einen zusätzlichen Kommentar hinzufügen.
Author Icon
Éloïse Dupuis
Location Icon France
5 stars
2023-03-25 19:53
Sieht gut aus. noch nicht getestet.
Author Icon
Naomi Thompson
Location Icon United States
5 stars
2022-11-10 14:27
einige beschädigte Komponenten, unbrauchbar

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