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Startseite  /  Diskrete Halbleiter  /  Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzelne bipolare transistoren  /  onsemi BD159G

BD159G

Active Icon Obsolete - TRANS NPN 350V 0.5A TO126
BD159G
BD159G
onsemi
Hersteller:
Hersteller-Teil #
Datenblatt:
Beschreibung:
TRANS NPN 350V 0.5A TO126
 
3D Model Icon

BD159G Spezifikation

Produkt-Attribut
Attributwert
Hersteller
Reihe
-
Verpackung
Bulk
Produktstatus
Obsolete
Transistor-Typ
NPN
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
500 mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)
350 V
Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic
-
Strom - Kollektor, Reststrom (max.)
100μA (ICBO)
GleichstromVerstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce
30 @ 50mA, 10V
Leistung - Max.
20 W
Frequenz - übergang
-
Betriebstemperatur
-65 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Montagetyp
Through Hole
Gehäuse / Hülle
TO-225AA, TO-126-3
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-126

BD159G Inventar: 12800

Geschichte Preis
Obsolete
Certificates
5.0 / 5.0
review stars
Author Icon
Sergio Gallo
Location Icon Italy
5 stars
2023-03-23 22:54
Alles ok zu empfehlen, tolles Produkt
Author Icon
Annelies de Wit
Location Icon Netherlands
5 stars
2023-03-25 04:23
Alles wie bestellt, ich habe die Qualität nicht überprüft, aber das Aussehen und die Quantität entspricht der Beschreibung. Die Lieferung erfolgt schnell. Vielen Dank! (PS: Ja, ich bin eine Frau! Lassen Sie sich davon nicht verwirren!)
Author Icon
Éva Delaunay
Location Icon France
5 stars
2023-03-26 01:25
Sie kamen viel schneller an als erwartet. Alles, was ich tun muss, ist, sie zu reiten.
Author Icon
Laura Salmi
Location Icon Finland
5 stars
2023-03-24 03:47
Einfach hervorragend!! Vielen Dank.
Author Icon
Ville Räsänen
Location Icon Finland
5 stars
2022-12-19 19:44
Die Lieferung ist nicht angekommen.

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