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2SK2011

Active Icon Active - N-CHANNEL POWER MOSFET
2SK2011
2SK2011
onsemi
Hersteller:
Hersteller-Teil #
Datenblatt:
Beschreibung:
N-CHANNEL POWER MOSFET
 
3D Model Icon

2SK2011 Spezifikation

Produkt-Attribut
Attributwert
Hersteller
Reihe
-
Verpackung
Bulk
Produktstatus
Active
FET-Typ
-
Technologie
-
Drain-Source-Spannung (Vdss)
-
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
-
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
-
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
-
Vgs(th) (max.) bei Id
-
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
-
Vgs (Max.)
-
EingangsKapazität (Ciss) (max.) bei Vds
-
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
-
Betriebstemperatur
-
Montagetyp
-
Gehäusetyp vom Lieferanten
-
Gehäuse / Hülle
-

2SK2011 Inventar: 48090

Geschichte Preis
$1.26000
Certificates
5.0 / 5.0
review stars
Author Icon
Éva Delaunay
Location Icon France
5 stars
2023-03-26 01:25
Sie kamen viel schneller an als erwartet. Alles, was ich tun muss, ist, sie zu reiten.
Author Icon
Laura Salmi
Location Icon Finland
5 stars
2023-03-24 03:47
Einfach hervorragend!! Vielen Dank.
Author Icon
Ville Räsänen
Location Icon Finland
5 stars
2022-12-19 19:44
Die Lieferung ist nicht angekommen.
Author Icon
Asher King
Location Icon United States
5 stars
2023-03-25 13:19
Ist wie die Beschreibung (Toshiba). Ist der Betrag, um den ich gebeten habe. Sehr schnell schickte er. Noch nicht bewiesen, ich werde später einen zusätzlichen Kommentar hinzufügen.
Author Icon
Éloïse Dupuis
Location Icon France
5 stars
2023-03-25 19:53
Sieht gut aus. noch nicht getestet.

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