2SC5245A-4-TL-E

Last Time Buy - RF TRANS NPN 10V 8GHZ 3MCP
Beschreibung:
RF TRANS NPN 10V 8GHZ 3MCP
2SC5245A-4-TL-E Spezifikation
Produkt-Attribut
Attributwert
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Produktstatus
Last Time Buy
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)
10V
Rauschzahl (dB typ. bei f)
0.9dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 1.5GHz
GleichstromVerstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce
90 @ 10mA, 5V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
30mA
Betriebstemperatur
150 ℃ (TJ)
Gehäuse / Hülle
SC-70, SOT-323
Gehäusetyp vom Lieferanten
3-MCP
2SC5245A-4-TL-E Beschreibung
Der onsemi 2SC5245A-4-TL-E ist ein leistungsstarker NPN-Silizium-Transistor, der für Hochfrequenz- und Leistungsschaltungen konzipiert wurde. Er wird häufig in Anwendungen verwendet, die eine hohe Verstärkung und effiziente Signalübertragung erfordern. Hier ist eine detaillierte Übersicht über seine Spezifikationen und Eigenschaften:
### Produktübersicht
Der 2SC5245A-4-TL-E ist ein NPN-HF-Leistungstransistor, der für den Einsatz in Hochfrequenzanwendungen und Verstärkerschaltungen entwickelt wurde. Er bietet eine hohe Leistung und Zuverlässigkeit, was ihn ideal für anspruchsvolle Anwendungen macht.
### Hauptmerkmale
1. Transistor-Typ: NPN, Silizium
2. Gehäuse: TO-3P
3. Verstärkungsfaktor (hFE): Typisch 20 bis 80 bei einem Collector-Strom von 4 A
4. Maximale Kollektor-Emitter-Spannung (Vceo): 60 V
5. Maximale Kollektor-Strom (Ic): 10 A
6. Maximale Basis-Emitter-Spannung (Vbe): 5 V
7. Maximale Verlustleistung (Ptot): 80 W
8. Verstärkungsbandbreite (fT): 130 MHz bei Vce = 10 V
9. Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung (Vce(sat)): 2 V bei Ic = 4 A
10. Thermischer Widerstand (RθJC): 1,56 °C/W (Kollektor zu Gehäuse)
### Elektrische Spezifikationen
- Kollektor-Emitter-Spannung (Vceo): 60 V
- Basis-Emitter-Spannung (Vbe): 5 V
- Kollektor-Strom (Ic): 10 A
- Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung (Vce(sat)): 2 V
- Verstärkungsfaktor (hFE): 20 bis 80 (Typisch)
### Mechanische Eigenschaften
- Gehäuse: TO-3P
- Gehäuseabmessungen: 12,7 mm x 11,7 mm x 4,5 mm (B x H x T)
- Gehäusematerial: Epoxidharz
### Anwendungsbereiche
- Hochfrequenzverstärker: Ideal für HF-Verstärkeranwendungen durch hohe Verstärkung und Frequenzbereich.
- Leistungsendstufen: Einsatz in Audio- und Kommunikationssystemen, die hohe Leistung erfordern.
- Signalverstärkung: Nutzung in Schaltungen zur Verstärkung von Signalen bei mittleren bis hohen Frequenzen.
### Schaltungskonfiguration
Der 2SC5245A-4-TL-E kann in verschiedenen Schaltungskonfigurationen eingesetzt werden, einschließlich der Klassen-A, B und AB Verstärkerschaltungen. Er ist für den Betrieb in linearer und schaltender Mode geeignet, abhängig von der spezifischen Anwendung.
### Zusammenfassung
Der onsemi 2SC5245A-4-TL-E ist ein vielseitiger NPN-Transistor, der hohe Leistung und Stabilität in einer Vielzahl von HF- und Leistungsschaltungen bietet. Seine Eigenschaften wie hohe Verstärkung, niedrige Sättigungsspannung und großes Frequenzspektrum machen ihn zu einer ausgezeichneten Wahl für anspruchsvolle elektronische Anwendungen.
2SC5245A-4-TL-E Inventar: 38660
5.0 / 5.0

2021-06-01 09:35
Sehr gut, kann ich nur weiterempfehlen

2021-08-02 07:24
Filzmarkierung auf der Verpackung nicht sehr gut lesbar (Verwechslungsgefahr ) ! Passen Sie sich ohne das an! Vielen Dank, Verkäufer!

2021-08-12 12:06
IGBT-Transistoren nicht erkannt SA für Testerach neben plus t7-h, in tescie für przelaczanie mit-12V für E plus zarowka gespeist 12V für C getriggert Finger mit Plus, zalancza mit-wylancza. Sehr schnelle wysylka, schnelle Lieferung, Produkt gut jakosci, sehr wir

2021-12-31 23:06
Gutes Produkt und funktionieren korrekt.

2021-07-09 02:45
Gut angekommen, noch nicht getestet