1N916
Active - DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35
Beschreibung:
DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35
1N916 Spezifikation
Produkt-Attribut
Attributwert
Spannung - DC-Rückwärtssp. (Vr) (Max.)
100 V
Strom - Mittelwert gleichgerichtet (Io)
200mA
Spannung - Durchlass (Vf) (max.) bei If
1 V @ 10 mA
Geschwindigkeit
Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Umkehrerholungszeit (trr)
4 ns
Strom - Sperrleckstrom bei Vr
5 μA @ 75 V
Kapazität bei Vr, F
2pF @ 0V, 1MHz
Gehäuse / Hülle
DO-204AH, DO-35, Axial
Gehäusetyp vom Lieferanten
DO-35
Betriebstemperatur - übergang
-65 ℃ ~ 175 ℃
1N916 Inventar: 7400
5.0 / 5.0
2023-04-16 07:52
Wie versprochen schneller Versender Original-Komponente! Sehr schneller Kommunikator!
2023-04-11 13:26
Alles war gut, sehr schneller Versand, zufrieden mit dem Kauf
2023-04-16 21:02
Nur 78M05 getestet: OK.
2023-04-16 05:39
Ich habe den Artikel schnell erhalten. Bestellen Sie gut verpackt. Das Produkt entspricht der Beschreibung. Der Verkäufer meint es ernst. Ich empfehle es.
2023-04-11 09:24
Tipp top, danke!
United States
