1N485B
Active - DIODE GEN PURP 200V 200MA DO35
Beschreibung:
DIODE GEN PURP 200V 200MA DO35
1N485B Spezifikation
Produkt-Attribut
Attributwert
Spannung - DC-Rückwärtssp. (Vr) (Max.)
200 V
Strom - Mittelwert gleichgerichtet (Io)
200mA
Spannung - Durchlass (Vf) (max.) bei If
1 V @ 100 mA
Geschwindigkeit
Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Umkehrerholungszeit (trr)
-
Strom - Sperrleckstrom bei Vr
25 nA @ 175 V
Gehäuse / Hülle
DO-204AH, DO-35, Axial
Gehäusetyp vom Lieferanten
DO-35
Betriebstemperatur - übergang
175 ℃ (Max)
Italy
